Формування сплаву Ge-Sn з високим вмістом Sn для досягнення прямозонності

Плівки Ge1-xSnx є дуже перспективним способом отримання ІЧ-детекторів та випромінювачів, сумісних з кремнієвою технологією, зокрема CMOS. Основною перешкодою є низька розчинність Sn у Ge. У цій роботі ми використовували лазерний гравірувальний верстат для отримання кристалічних плівок Ge1-xSnx шляхом локального відпалу аморфного багатошарового матеріалу Ge/Sn скануючим лазерним променем. Додатково, перед відпалом було використано імплантацію вуглецю в плівку з метою зменшення локальної деформації у сплаві та запобігання сегрегації Sn (та Ge).

Структури на основі кремнію

Ці дослідження мають на меті розробку приладів на основі технології кремній на ізоляторі, яка потребує зокрема формування (полі)кристалічного шару кремнію шарі SiO2 на пластині монокристалічного кремнію.

Раманівський спектр з (світлої) ділянки вихідного аморфного кремнію (зелена крива) та спектр (темної) ділянки кристалізованої скануючим лазерним гравером (червона крива).